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更新時間：2026-06-04 
瀏覽次數：184半導體薄膜沉積（CVD/PVD）、外延生長及光刻膠烘焙等工序，要求在 ISO 4～5 級環境 + 超高純惰性氣體保護（O?＜0.1～1ppm） 下進行。哪怕是數 ppm 的氧滲入，也會導致柵氧層界面缺陷、金屬布線氧化或良率波動。
TORAY LC-750L 低濃度氧化鋯氧分析儀，專為此類高純特氣微量氧監測設計，廣泛應用于以下半導體關鍵節點：
制氮機/氣體純化裝置出口監測
驗證 PSA/膜分離或催化脫氧純化柱后的 N? 是否達標（如 O?＜1ppm），判斷是否需切換純化柱或觸發再生。
工藝腔體 Purge（吹掃）氣驗證
在 Load Lock / Transfer Module 吹掃階段，取樣分析排氣的氧濃度衰減曲線，確認腔體已達工藝允許的上限含氧量后再開始工藝，避免交叉污染。
大宗特氣柜（VMB）支路監控
對 Ar、He 等載氣或保護氣做在線抽檢，確保特氣供應商純度符合 Fab 廠規格（Spec）。
10ppm / 100ppm 固定量程可選：針對高純 N? 監測推薦 0～10ppm 量程，針對一般 Purge 排氣可選 0～100ppm，避免過量程導致低濃度盲區；
耐污染設計：可選配硅過濾器（吸附含硅氣體，如 TEOS 殘留）及活性炭過濾器，防止工藝殘余氣體劣化傳感器——這點對 Fab 廠尤為重要；
SEMI 風格集成：4～20mA + RS-232C 通信，可接入 Fab 廠氣體管理系統（GMS）；小巧機身支持面板安裝或臺式放置于 Sub-fab 氣柜旁；
參比氣體為大氣：無需額外參比氣瓶，降低運行成本與氣源管理負擔。
順磁式雖精度高但通常下限在 % 級或數百 ppm，不適合 10ppm 以下特氣驗證；
電化學在 ppb～ppm 有應用，但漂移大、需頻繁標定、對溫濕敏感；
LC-750L 氧化鋯法：兼顧低量程（10ppm）、長穩、少維護，是半導體廠常用的在線連續監測方案，特別適合純化裝置出口及關鍵 Purge 點。
TORAY LC-750L ——讓高純氣體的"純度"不再是黑盒，用數據證明您的工藝氣體真正達標。納加霍里科技提供 TORAY 全系氧分析儀選型、過濾器配置及售后維保服務，歡迎聯系咨詢。
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